Hynix разрабатывает 10-нм оперативную память.
Компания из Южной Кореи сообщила о разработке уникальных чипов оперативной памяти. Они будут выполнены согласно 10-нм технологическому процессу.
Новинка представлена в формате DRAM DDR четвёртой версии, порог частоты такой памяти составляет 3200 Гб. При этом максимальный объём памяти такого модуля не сможет превысить отметку в 8 Гб. Согласно предварительным данным, новые чипы будут на 20% производительнее своих предшественников.
Кроме того, компания сообщила, что впоследствии планируется переход на более совершенный технологический процесс и других видов оперативной памяти, в том числе и для ноутбуков.
По сообщениям от Hynix, первые модули памяти поступят на рынок уже в начале 2019 года.
